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CSDD-25M

更新时间： 2024-09-24 23:14:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 可控硅
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMP, 600 THRU 800 VOLTS

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CSDD-25M 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.75外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：30 mA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：25 A
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

CSDD-25M 数据手册

 浏览型号CSDD-25M的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CSDD-25M  
CSDD-25N  
Semiconductor Corp.  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
25 AMP, 600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSDD-25M  
series type is an Epoxy Molded Silicon Controlled  
Rectifier designed for sensing circuit applications  
and control systems.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
D2PAK CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
CSDD  
-25M  
400  
CSDD  
-25N  
600  
UNITS  
V
A
A
A2s  
W
W
A
V
V
A/µs  
°C  
°C  
°C/W  
°C/W  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
DRM, RRM  
RMS On-State Current (T =90°C)  
I
I
25  
250  
310  
40  
1.0  
4.0  
16  
C
T(RMS)  
TSM  
Peak One Cycle Surge (t=10ms)  
I2t Value for Fusing (t=10ms)  
Peak Gate Power (tp=10µs)  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Forward Gate Current (tp=10µs)  
Peak Forward Gate Voltage (tp=10µs)  
Peak Reverse Gate Voltage (tp=10µs)  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Storage Temperature  
I2t  
P
P
I
V
V
di/dt  
GM  
G (AV)  
FGM  
FGM  
RGM  
5.0  
100  
T
T
Θ
Θ
-40 to +150  
-40 to +125  
60  
stg  
J
JA  
JC  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
1.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
4.0  
30  
50  
UNITS  
µA  
mA  
mA  
mA  
V
I
I
I
I
V
V
I
I
Rated V  
Rated V  
V
DRM, RRM  
DRM, RRM  
, V  
, T =125°C  
DRM, RRM  
DRM RRM  
C
V =12V, R =10Ω  
4.2  
12.5  
0.65  
GT  
H
GT  
TM  
D
L
I =100mA  
T
V =12V, R =10Ω  
1.50  
1.80  
D
L
I
=50A, tp=380µs  
2
V
V/µs  
TM  
dv/dt  
V = / V  
, T =125°C  
200  
3
D
DRM  
C
R0 (15-June 2004)  
12

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与CSDD-25M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSDD-25M_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
CSDD-25MBK CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D
CSDD-25MLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D
CSDD-25MTR13 CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D
CSDD-25MTR13PBFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM),
CSDD-25N CENTRAL

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 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
CSDD-25NBK CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, D
CSDD-25NBKLEADFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM)
CSDD-25NBKPBFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM),
CSDD-25NLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述

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