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CSD15380F3

更新时间： 2024-11-12 11:12:31

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
13页	1841K
描述
采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD15380F3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GRID ARRAY, R-PBGA-B3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.76
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	0.17 pF
JESD-30 代码：	R-PBGA-B3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	BUTT
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

CSD15380F3 数据手册

CSD15380F3

ZHCSEZ4B –MAY 2016 –REVISED FEBRUARY 2022

CSD15380F3 20V N 沟道FemtoFET^™MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

典型值

单位

V_DS

Q_g

漏源电压

• 超低C_iSS和C_OSS

• 超低Q_g和Q_gd

• 超小尺寸

0.216

0.027

栅极电荷总量(4.5V)

Q_gd

栅极电荷（栅极到漏极）

V_GS= 2.5V

2220

1170

990

– 0.73mm × 0.64mm

• 超薄型封装

漏源

导通电阻

R_DS(on)

V_GS= 4.5V

V_GS= 8V

mΩ

– 最大厚度为0.36mm

• 集成型ESD 保护二极管

V_GS(th)

1.1

阈值电压

器件信息⁽¹⁾

介质

– 额定值> 4kV HBM

– 额定值> 2kV CDM

• 无铅且无卤素

器件

数量

封装

配送

CSD15380F3

3000

Femto

卷带

包装

0.73mm × 0.64mm

7 英寸卷带

• 符合RoHS

CSD15380F3T

250

基板栅格阵列(LGA)

2 应用

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

• 针对负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

• 电池应用

绝对最大额定值

T_A= 25°C（除非另外注明）

值

0.9

单位

• 手持式和移动类应用

V_DS

V_GS

漏源电压

3 说明

栅源电压

持续漏极电流⁽¹⁾

持续漏极电流⁽²⁾

脉冲漏极电流⁽³⁾

功率耗散⁽¹⁾

该 20V、990mΩ N 沟道 FemtoFET^™MOSFET 经过

设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动

应用中占用的空间。超低电容提高了开关速度。在数据

线应用中使用时，低电容可最大限度地降低噪声耦合。

这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅

减小封装尺寸。

I_D

0.5

1.6

1.4

0.5

I_DM

P_D

功率耗散⁽²⁾

人体放电模型(HBM)

充电器件模型(CDM)

V_(ESD)

°C

T_J、

T_stg

–55 至

150

工作结温和

贮存温度

0.36 mm

(1) 典型R_θJA= 90°C/W（在0.06 英寸(1.52mm) 厚的FR4 PCB

上安装1 平方英寸(6.45cm²)、2oz、0.071mm 厚的铜焊盘

时）。

(2) 电路板覆铜面积最小时的典型R_θJA= 255°C/W

(3) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。

0.73 mm

0.64 mm

典型器件尺寸

顶视图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS579

12 3 4 5 6 7...13

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CSD15380F3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD17484F4	TI	类似代替	采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30
CSD13380F3	TI	类似代替	采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、1
CSD15380F3T	TI	类似代替	采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ

与CSD15380F3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD15380F3T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ
CSD15571Q2	TI	获取价格	20-V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD1563	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
CSD1563A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
CSD1563AN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
CSD1563AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
CSD1563AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
CSD1563N	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
CSD1563P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
CSD1563Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126

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