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CSC3063

更新时间： 2024-09-21 03:26:59

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CDIL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	72K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR

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CSC3063 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
Base Number Matches：	1

CSC3063 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR

CSC3063

TO-126

Plastic Package

Video output Amplifier

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25ºC)

Value

300

200

100

1.2

DESCRIPTION

SYMBOL

V_CBO

UNIT

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Peak Collector Current

Collector Current

V_CEO

V_EBO

I_CP

I_C

P_C

T_j

Total Power Dissipation

150

Junction Temperature

ºC

T_stg

- 55 to +150

Storage Temperature

ºC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_c=25ºC unless specified otherwise )

DESCRIPTION

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN

TYP

MAX

UNIT

V_CBO

I_C=10mA, I_E=0

Collector Base Voltage

300

V_CEO

V_EBO

I_C=0.1mA, I_B=0

Collector Emitter Voltage

300

I_E=10mA, I_C=0

I_C=5mA, V_CE=50V

I_C=30mA, V_CE=10V

I_C=30mA, I_B=3mA

Emitter Base Voltage

h_FE

V_{BE (on)}

V_{CE (sat)}

DC Current Gain

Collector Emitter On Voltage

Collector Emitter Saturation Voltage

250

1.2

1.5

Dynamic Characteristics

Transition Frequency

Output Capacitance

f_T

C_ob

I_C=20mA, V_CB=30V,

I_E=0,V_CB=30V, f=0.1MHz

MHz

2.4

Data Sheet

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Continental Device India Limited

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