CSC3255

更新时间： 2024-02-23 14:53:14

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CDIL		晶体晶体管
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3页	118K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

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CSC3255 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

CSC3255 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

CSC3255

TO-220

High-Speed Switching Applications.

Complementary CSA1291

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)

DESCRIPTION

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

VALUE

5.0

10.0

12.0

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Peak

ICP

Collector Power Dissipation @ Tc=25 deg C PC

40.0

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Tstg

150

-55 to +150

deg C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN TYP MAX

UNIT

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

Collector Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

Dynamic Characteristics

Transition Frequency

Switching Time

VCEO

VCBO

VEBO

ICBO

IEBO

IC=1mA, IB=0

IC=1mA, IE=0

IE=1mA, IC=0

VCB=40V, IE=0

VBE=4V,IC=0

5.0

100

0.6

250

VCE(Sat) IC=5A, IB=0.25A

hFE

IC=1A, VCE=2V

VCE=5V, IC=1A,

100

MHz

Turn on time

Storage time

Fall time

ton

tstg

VCC=20V, VBE=5V

IB1=1B2=.0.25A, IC=5A,

Pw=20us, Duty Cycle=1%

0.1

0.5

0.1

hFE Classification

Q : 70 -140 ;

R : 100 - 200 ;

S : 160 - 250 ;

Continental Device India Limited

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Data Sheet

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