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CS730A3RD

更新时间: 2024-10-29 17:00:55
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华润微 - CRMICRO /
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10页 195K
描述
TO-251

CS730A3RD 数据手册

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CS730 A3RD  
R
100  
10  
TRANSCONDUCTANCE MAY LIMIT  
CURRENT IN THIS REGION  
FOR TEMPERATURES  
ABOVE 25DERATE PEAK  
CURRENT AS FOLLOWS:  
é
25 ê  
ë
ù
ú
û
150 - TC  
I = I  
125  
VGS=10V  
1
1.00E-04  
1.00E-03  
1.00E-02  
1.00E-01  
1.00E+00  
1.00E+01  
1.00E-05  
t
Pulse Width , Seconds  
Figure  
6
Maximum Peak Current Capability  
100  
10  
1
4
3
2
1
0
PULSE DURATION = 10μs  
DUTY FACTOR = 0.5%MAX  
Tc =25 ℃  
PULSED TEST  
VDS=10V  
ID=6A  
ID=3A  
ID=1.5A  
+150℃  
+25℃  
-55℃  
0.1  
4
Figure  
2.5  
6
8
10  
12  
14  
2
4
6
8
10  
Vgs , Gate to Source Voltage Volts  
Vgs , Gate to Source Voltagevolts  
8
Typical Drain to Source ON Resistance vs Gate Voltage  
and Drain Current  
Figure  
7
Typical Transfer Characteristics  
2.5  
2
PULSED TEST  
Tc =25 ℃  
VGS=10V  
ID=3.0A  
2
1.5  
1
VGS=10V  
1.5  
1
VGS=20V  
0.5  
0
0.5  
0
0
5
10  
15  
20  
25  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
Id , Drain Current,Amps  
Tj, Junction temperatureC  
Figure 10 Typical Drian to Source on Resistance  
vs Junction Temperature  
Figure  
9
Typical Drain to Source ON Resistance  
vs Drain Current  
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD.  
Page 5 of 10  
2015V01  

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