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CS730A3RD

更新时间: 2024-10-29 17:00:55
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华润微 - CRMICRO /
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10页 195K
描述
TO-251

CS730A3RD 数据手册

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CS730 A3RD  
R
1.2  
1.2  
1.1  
1
1.1  
1
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.9  
0.8  
VGS=0V  
ID=250μA  
VGS=0V  
ID=250μA  
-25  
-75 -50  
0
25  
50  
75 100 125 150 175  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
Tj, Junction temperature , C  
Tj, Junction temperature,C  
Figure 12 Typical Breakdown Voltage vs Junction Temperature  
Figure 11 Typical Theshold Voltage vs Junction Temperature  
12.5  
10000  
VDD=200V  
10  
7.5  
5
ID=6A  
Tc =25℃  
1000  
100  
10  
Ciss  
Coss  
VGS=0V , f=1MHz  
Ciss=Cgs+Cgd  
Coss=Cds+Cgd  
Crss=Cgd  
Crss  
2.5  
0
1
0
5
10  
Qg , Total Gate Charge , nC  
15  
20  
0.1  
1
10  
100  
Vds , Drain - Source Voltage , Volts  
Figure 13 Typical Capacitance vs Drain to Source Voltage  
Figure 14 Typical Gate Charge vs Gate to Source Voltage  
100  
10  
1
100  
PULSE TEST  
VGS=0V  
STARTING Tj = 25℃  
STARTING Tj = 150℃  
150℃  
10  
1
25℃  
If R=0: tAV =(L* IAS) / (1.38VDSS-VDD  
)
If R0: tAV=(L/R) In[IAS*R/ (1.38VDSS-VDD)+1]  
R equals total Series resistance of Drain circuit  
0.1  
0.1  
1.00E-06 1.00E-05 1.00E-04 1.00E-03 1.00E-02 1.00E-01  
tav,Time in Avalanche,Seconds  
1.00E+00  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
1.4  
Vsd , Source - Drain Voltage , Volts  
Figure 16 Unclamped Inductive Switching Capability  
Figure 15 Typical Body Diode Transfer Characteristics  
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD.  
Page 6 of 10  
2015V01  

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