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CS5N60A3H

更新时间： 2024-03-03 10:08:40

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TO-251

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CS5N60A3H 数据手册

CS5N60 A3H

○

Source-Drain Diode Characteristics

Rating

Typ.

Parameter

Test Conditions

Symbol

Units

Min.

Max.

Continuous Source Current (Body Diode)

Maximum Pulsed Current (Body Diode)

Diode Forward Voltage

I_S

I_SM

V_SD

trr

1.5

I_S=5.0A,V_GS=0V

Reverse Recovery Time

I_S=5.0A,T_j= 25°C

203

943

dI_F/dt=100A/us,

V_GS=0V

Reverse Recovery Charge

Qrr

Pulse width tp≤300µs,δ≤2%

Parameter

Typ.

Symbol

Units

Junction-to-Case

R_θ

1.47

62.5

℃/W

Junction-to-Ambient

R_θ

^a1：Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature

^a2：L=10mH, I_D=7.4A, Start T_J=25℃

^a3：I_SD=5A,di/dt ≤100A/us,V_DD≤BV_DS,Start T_J=25℃

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 3 of 10

2015V01

1 234 5 6 7...10

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