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CS5N60A3H

更新时间: 2024-10-29 15:18:07
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10页 309K
描述
TO-251

CS5N60A3H 数据手册

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CS5N60 A3H  
R
Source-Drain Diode Characteristics  
Rating  
Typ.  
--  
Parameter  
Test Conditions  
Symbol  
Units  
Min.  
--  
Max.  
5
Continuous Source Current (Body Diode)  
Maximum Pulsed Current (Body Diode)  
Diode Forward Voltage  
IS  
A
A
ISM  
VSD  
trr  
--  
--  
20  
1.5  
--  
IS=5.0A,VGS=0V  
--  
--  
V
Reverse Recovery Time  
IS=5.0A,Tj = 25°C  
--  
203  
943  
ns  
nC  
dIF/dt=100A/us,  
VGS=0V  
Reverse Recovery Charge  
Qrr  
--  
--  
Pulse width tp300µs,δ≤2%  
Parameter  
Typ.  
Symbol  
Units  
Junction-to-Case  
Rθ  
1.47  
62.5  
/W  
/W  
JC  
Junction-to-Ambient  
Rθ  
JA  
a1Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature  
a2L=10mH, ID=7.4A, Start TJ=25℃  
a3ISD =5A,di/dt 100A/us,VDDBVDS, Start TJ=25℃  
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 3 of 10  
2015V01