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CS1J-E3/I

更新时间： 2024-11-28 21:11:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	82K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

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CS1J-E3/I 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	0.34	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	1.5 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

CS1J-E3/I 数据手册

CS1D, CS1G, CS1J, CS1K, CS1M

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Surface Mount Glass Passivated Rectifier

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated pellet chip junction

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

DO-214AC (SMA)

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

PRIMARY CHARACTERISTICS

For use in general purpose rectification of power supplies,

inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer

and telecommunication.

I_F(AV)

1.0 A

V_RRM

200 V, 400 V, 600 V, 800 V, 1000 V

I_FSM

I_R

30 A

5.0 μA

MECHANICAL DATA

Case: DO-214AC (SMA)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

V_Fat I_F= 1.0 A (T_A= 125 °C)

T_Jmax.

0.98 V

150 °C

Package

DO-214AC (SMA)

Single die

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

Diode variations

E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

CS1D

CS1G

CS1J

CS1K

CS1M

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Average forward rectified current

V_RRM

200

400

600

1.0

800

1000

(1)

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-55 to +150

°C

Note

(1)

Free air, mounted on recommended copper pad area

Revision: 25-Jul-16

Document Number: 87635

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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与CS1J-E3/I相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CS1K	VISHAY	获取价格	Surface Mount Glass Passivated Rectifier
CS1K-E3/H	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
CS1K-E3/I	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
CS1M	VISHAY	获取价格	Surface Mount Glass Passivated Rectifier
CS1M-E3/H	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
CS1M-E3/I	VISHAY	获取价格	DIODE GPP 1000V 1.0A DO-214AC
CS1N15ASFD	CRMICRO	获取价格	SOT-23
CS1N50A1R	CRMICRO	获取价格	TO-92
CS1N50A3R	CRMICRO	获取价格	TO-251
CS1N50ATR	CRMICRO	获取价格	SOT-89

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