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CS1M-E3/H

更新时间： 2024-11-28 21:11:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	82K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

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CS1M-E3/H 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMA, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	4.5	Samacsys Description：	1A, 1000V, SMA, STD GPP SM REC
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	1.5 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

CS1M-E3/H 数据手册

CS1D, CS1G, CS1J, CS1K, CS1M

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Surface Mount Glass Passivated Rectifier

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated pellet chip junction

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

DO-214AC (SMA)

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

PRIMARY CHARACTERISTICS

For use in general purpose rectification of power supplies,

inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer

and telecommunication.

I_F(AV)

1.0 A

V_RRM

200 V, 400 V, 600 V, 800 V, 1000 V

I_FSM

I_R

30 A

5.0 μA

MECHANICAL DATA

Case: DO-214AC (SMA)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

V_Fat I_F= 1.0 A (T_A= 125 °C)

T_Jmax.

0.98 V

150 °C

Package

DO-214AC (SMA)

Single die

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

Diode variations

E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

CS1D

CS1G

CS1J

CS1K

CS1M

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Average forward rectified current

V_RRM

200

400

600

1.0

800

1000

(1)

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-55 to +150

°C

Note

(1)

Free air, mounted on recommended copper pad area

Revision: 25-Jul-16

Document Number: 87635

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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与CS1M-E3/H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CS1M-E3/I	VISHAY	获取价格	DIODE GPP 1000V 1.0A DO-214AC
CS1N15ASFD	CRMICRO	获取价格	SOT-23
CS1N50A1R	CRMICRO	获取价格	TO-92
CS1N50A3R	CRMICRO	获取价格	TO-251
CS1N50ATR	CRMICRO	获取价格	SOT-89
CS1N60A1H	CRMICRO	获取价格	TO-92
CS1N60A23H	CRMICRO	获取价格	SOT-223
CS1N60A3H	CRMICRO	获取价格	TO-251
CS1N60A4H	CRMICRO	获取价格	TO-252
CS1N60C1H	CRMICRO	获取价格	TO-92

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