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CRJS390N65GC

更新时间： 2024-11-19 15:19:15

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华润微 - CRMICRO		/
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9页	815K
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TO-263

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CRJS390N65GC 数据手册

CRJS390N65GC

华润微电子(重庆)有限公司

SJMOSꢀNꢁMOSFETꢀ650V,ꢀ0.39ꢂ,ꢀ11A

Features

Product Summary

•ꢀCRM(CQ)ꢀSuper_Junctionꢀtechnology

•ꢀMuchꢀlowerꢀRon*AꢀperformanceꢀforꢀOnꢁstateꢀefficiency

•ꢀBetterꢀefficiencyꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOM

VDS

650V

0.39ꢂ

11A

R_{DS(on)_typ}

I_D

Applications

100% DVDS Tested

•ꢀLED/LCD/PDPꢀTVꢀandꢀmonitorꢀLighting

•ꢀSolar/Renewable/UPSꢁMicroꢀInverterꢀSystem

•ꢀCharger

100% Avalanche Tested

•ꢀPowerꢀSupply

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ263

Packing

ReelꢀSize

TapeꢀWidth

N/A

Qty

CRJS390N65GC

Tape&Reel

N/A

1000pcs

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

650

Continuousꢀdrainꢀcurrent^ꢀ1)

T_Cꢀ=ꢀ25°C

I_D

T_Cꢀ=ꢀ100°C

7.0

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS

120

V/ns

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=60mH,ꢀRg=30Ω)

MOSFETꢀdv/dtꢀruggedness

dv/dt

V_GS

GateꢁSourceꢀvoltage

±30

126

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

Continuousꢀdiodeꢀforwardꢀcurrent(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

Diodeꢀpulseꢀcurrentꢀ²⁾ꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

Recoveryꢀdiodeꢀdv/dtꢀ³⁾

I_S

I_Sꢀpulse

dv/dt

T_jꢀ,ꢀT _stg

V/ns

°C

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

1)ꢀLimitedꢀbyꢀTj,max.ꢀMaximumꢀDutyꢀCycleꢀDꢀ=ꢀ0.50;ꢀTOꢁ220ꢀequivalent

2)ꢀPulseꢀwidthꢀtpꢀlimitedꢀbyꢀTj,max

3)ꢀIdenticalꢀlowꢀsideꢀandꢀhighꢀsideꢀswitchꢀwithꢀidenticalꢀRG

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

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