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CPS041

更新时间： 2024-09-16 03:26:35

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CENTRAL		可控硅栅
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2页	138K
描述
Silicon Controlled Rectifier Sensitive Gate SCR Chip

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CPS041 数据手册

PROCESS CPS041

Silicon Controlled Rectifier

Sensitive Gate SCR Chip

PROCESS DETAILS

Process

GLASS PASSIVATED MESA

41 x 41 MILS

Die Size

Die Thickness

8.7 MILS 0.6 MILS

18 x 8 MILS

Cathode Bonding Pad Area

Gate Bonding Pad Area

Top Side Metalization

7.1 x 7.1 MILS

Al - 45,000Å

Back Side Metalization

Au - 10,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

6,474

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CS18D

BRX49

CS92D

CS89M

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R1 (19 -May 2005)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CPS041-2N5060	CENTRAL	获取价格	.8A,30V Bare die,41.340 X 41.340 mils,SCR
CPS041-2N5064	CENTRAL	获取价格	.8A,200V Bare die,41.340 X 41.340 mils,SCR
CPS041-BRX49-CM	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
CPS041-BRX49-CT	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
CPS041-BRX49-WR	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
CPS041-BRX49-WS	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
CPS041-CS18B	CENTRAL	获取价格	1A,200V Bare die,41.340 X 41.340 mils,SCR
CPS041-CS18D-CM	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
CPS041-CS18D-CT	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
CPS041-CS18D-WR	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier