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CPS057-2N2324-WN

更新时间： 2024-09-16 20:48:23

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描述
Silicon Controlled Rectifier

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CPS057-2N2324-WN 技术参数

PROCESS CPS057

Silicon Controlled Rectifier

Sensitive Gate SCR Chip

PROCESS DETAILS

Process

GLASS PASSIVATED MESA

Die Size

57 x 57 MILS

Die Thickness

8.7 MILS ꢀ.ꢁ MILS

24 x 14 MILS

Cathode Bonding Pad Area

Gate Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

7.9 x 7.9 MILS

Al - 45,ꢀꢀꢀÅ

Al/Mo/Ni/Ag - 2ꢀ,ꢀꢀꢀÅ/5,ꢀꢀꢀÅ/5,ꢀꢀꢀÅ/2,ꢀꢀꢀÅ

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

3,374

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CS39-4D

2N2323 thru 2N2329

CS223-4M

BACKSIDE ANODE

R3 (22-March 2ꢀ1ꢀ)

www.centralsemi.com

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