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CP707-MPSA64

更新时间： 2024-04-09 18:58:45

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9页	697K
描述
500mA,30V Bare die,27.170 X 27.170 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)

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CP707-MPSA64 数据手册

PROCESS CP707

Small Signal Transistor

PNP - Darlington Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

27 x 27 MILS

9.0 MILS

Die Size

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

5.3 x 3.8 MILS

5.3 x 6.5 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

15,165

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMPTA63

CMPTA64

CXTA64

CZTA64

MPSA63

MPSA64

BACKSIDE COLLECTOR

R6 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

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CP707-MPSA64-CM	CENTRAL	Transistor	获取价格
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