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CP709-CMXT7090L-CT

更新时间： 2025-07-16 19:54:31

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CP709-CMXT7090L-CT 技术参数

PROCESS CP709

Power Transistor

PNP - Low Saturation Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

41.3 x 41.3 MILS

9.0 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

9.5 x 9.2 MILS

12.8 x 10.2 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

6,670

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMPT7090L

CXT7090L

CZT7090L

CMXT7090L

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R3 (23- August 2006)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP709-CMXT7090L-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP709-CMXT7090L-WS	CENTRAL	获取价格	Transistor
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CP709-CZT7090L-WS	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP709_06	CENTRAL	获取价格	Power Transistor PNP - Low Saturation Transistor Chip
CP710	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistor PNP - High Voltage Transistor Chip
CP710-CMPTA94	CENTRAL	获取价格	400V,300mA,350mW Bare die,25.980 X 25.980 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)