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CP707-MPSA64-CM

更新时间： 2024-01-05 09:59:32

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CP707-MPSA64-CM 数据手册

PROCESS CP707

Small Signal Transistor

PNP - Darlington Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

27 x 27 MILS

9.0 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

5.3 x 3.8 MILS

5.3 x 6.5 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

15,440

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMPTA63

CMPTA64

CXTA64

CZTA64

MPSA63

MPSA64

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R4 (23-August 2006)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CP707-MPSA64-CT	CENTRAL	Transistor	获取价格
CP707-MPSA64-WN	CENTRAL	Transistor	获取价格
CP707-MPSA64-WS	CENTRAL	Transistor	获取价格
CP707-MPSU95	CENTRAL	Bare die,27.170 X 27.170 mils,Small Signal Darlington	获取价格
CP709	CENTRAL	Power Transistor PNP - Low Saturation Transistor Chip	获取价格
CP709_06	CENTRAL	Power Transistor PNP - Low Saturation Transistor Chip	获取价格