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CP707-MPSU95

更新时间： 2024-04-09 18:58:45

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9页	697K
描述
Bare die,27.170 X 27.170 mils,Small Signal Darlington

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CP707-MPSU95 数据手册

PROCESS CP707

Small Signal Transistor

PNP - Darlington Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

27 x 27 MILS

9.0 MILS

Die Size

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

5.3 x 3.8 MILS

5.3 x 6.5 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

15,165

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMPTA63

CMPTA64

CXTA64

CZTA64

MPSA63

MPSA64

BACKSIDE COLLECTOR

R6 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

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CP709	CENTRAL	Power Transistor PNP - Low Saturation Transistor Chip	获取价格
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