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CNB2301(ON2270)

更新时间: 2024-09-17 23:42:55
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3页 188K
描述
光デバイス - フォトカプラ?フォトセンサ - 反射形フォトセンサ

CNB2301(ON2270) 数据手册

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反射形フォトセンサ  
CNB2301 (ON2270)  
反射形フォトセンサ  
Unit : mm  
Mark for indicating  
I 概ꢀ要  
Anode side  
C0.5  
CNB2301, 高効率のGaAs赤外発光素子と, 受光素  
1
3
子に高感度のダーリントンフォトトランジスタを, 一  
つの樹脂パッケージに一体化した小形, 薄形の反射形  
フォトセンサです。  
Chip  
center  
I 特ꢀ長  
4-0.7  
超小形 : 2.7 mm × 3.4 mm  
可視光遮断樹脂の採用  
電流伝達比が大きい  
4-0.5  
0.1  
0.5  
2
4
1.8  
0.15  
I 用ꢀ途  
3.4 0.3  
ポジション, エッジマーク読み取り  
, フィルムなどの検知  
レベルの検出  
磁気テープなどのスター, エンドマーク検出  
モータなどの回転検出  
1
2
3
4
I 絶対最大定格 Ta = 25°C  
Pin connection  
項目  
記号  
VR  
ダイオード) 順電流(IF  
定格  
単位  
入力(発光  
逆電圧(直  
流値)  
3
V
流値) 50 mA  
1
*
許容損失  
出力(フォト コレクタ電流  
PD  
IC  
75  
mW  
mA  
V
30  
トランジスタ) コレクミッタ電圧 VCEO  
20  
5
エミッレクタ電圧 VECO  
V
) 1 : 入力側 の電力低減率は  
*
2
コレクタ損失 *  
動作周 囲温度  
保存温度  
PC  
75  
mW  
°C  
Ta = 25°C 以上で 1.0 mW/°C  
温度  
Topr  
Tstg  
25 ∼ +85  
30 ∼ +100  
2 : 出力側 の電力低減率は  
Ta = 25°C 以上で 1.0 mW/°C  
*
°C  
I 電気的特性 Ta = 25°C  
項目  
記号  
条件  
最小 標準 最大 単位  
入力特性 順電圧(直  
流値)  
VF  
IR  
Ct  
ICEO  
IC  
IF = 50 mA  
VR = 3 V  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
1.3  
0.01  
30  
1.5  
V
逆電流(直  
流値)  
10  
µA  
端子間容量  
pF  
出力特性 コレクタ遮断電流  
VCE = 10 V  
1.0  
12.0  
2.0  
µA  
mA  
µA  
V
1, 2  
伝達特性 コレクタ電流 *  
VCC = 5 V, IF = 2 mA, RL = 100 , d = 1 mm 0.46  
VCC = 5 V, IF = 2 mA, RL = 100 Ω  
漏れ電流  
ID  
コレクミッタ飽和電圧 VCE(sat) IF = 5 mA, IC = 0.5 mA  
1.5  
4
tr 3 , tf  
*
VCC = 10 V, IC = 1 mA, RL = 100 Ω  
150  
µs  
*
応答時間  
) 1 : I ランク分類  
2 : 出力電流測定方法  
*
*
C
Al  
Class  
Q
R
S
ガラス板 (t = 1 mm)  
IC (mA)  
0.46 1.75  
1.3 4.95  
3.15 12.0  
3 : 出力電流がピーク値10%90%に上昇する時間  
4 : 出力電流がピーク値90%10%に下降する時間  
*
*
RL  
IF  
IC  
VCC  
) ( )内は, 従来品  
番です  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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