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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMXT3946TRPBFREE
CMXT3946TRPBFREE PDF预览

CMXT3946TRPBFREE

更新时间： 2024-11-26 12:59:11
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 94K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN and PNP,

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CMXT3946TRPBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.2 A
最小直流电流增益 (hFE)：100最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN/PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

CMXT3946TRPBFREE 数据手册

 浏览型号CMXT3946TRPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMXT3946  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
SUPERmini™  
DUAL COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXT3946 type is a  
dual complementary silicon transistor manufactured by  
the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
SUPERmini™ surface mount package, designed for  
small signal general purpose and switching applications.  
MARKING CODE: X46  
SOT-26 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
NPN  
PNP  
SYMBOL  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
60  
40  
6.0  
40  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
V
5.0  
V
I
200  
350  
mA  
mW  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
PNP  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=30V, V =3.0V  
MIN  
MAX  
MIN MAX  
UNITS  
I
V
50  
50  
nA  
V
CEV  
CE  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =10µA  
60  
40  
40  
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
40  
V
C
I =10µA  
6.0  
5.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.20  
0.30  
0.85  
0.95  
0.25  
0.40  
0.65 0.85  
0.95  
60  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
40  
70  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
80  
FE  
C
=1.0V, I =10mA  
100  
60  
300  
100  
60  
300  
FE  
C
=1.0V, I =50mA  
FE  
C
=1.0V, I =100mA  
30  
30  
FE  
C
f
=20V, I =10mA, f=100MHz  
300  
250  
MHz  
pF  
T
C
C
C
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
4.0  
8.0  
10  
4.5  
10  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
C
h
h
h
h
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
1.0  
0.5  
100  
1.0  
2.0  
0.1  
100  
3.0  
12  
kΩ  
ie  
C
-4  
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
8.0  
400  
40  
10  
x10  
re  
fe  
C
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
400  
60  
C
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
µmhos  
oe  
C
NF  
=5.0V, I =100µA, R =1.0kΩ  
C S  
f=10Hz to 15.7kHz  
5.0  
35  
4.0  
35  
dB  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
V
V
V
V
=3.0V, V =0.5V, I =10mA, I =1.0mA  
BE B1  
d
CC  
CC  
CC  
CC  
C
t
=3.0V, V =0.5V, I =10mA, I =1.0mA  
BE B1  
35  
35  
r
C
t
=3.0V, I =10mA, I =I =1.0mA  
B1 B2  
200  
50  
225  
75  
s
C
t
=3.0V, I =10mA, I =I =1.0mA  
B1 B2  
f
C
R2 (06-August 2003)  
12

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