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CMXT7090L

更新时间: 2024-11-25 21:54:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 219K
描述
Power Transistor PNP - Low Saturation Transistor Chip

CMXT7090L 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数:6
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.37
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):150
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.35 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

CMXT7090L 数据手册

 浏览型号CMXT7090L的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
PROCESS CP709  
Power Transistor  
Central  
Semiconductor Corp.  
PNP - Low Saturation Transistor Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
EPITAXIAL PLANAR  
Die Size  
Die Thickness  
41.3 x 41.3 MILS  
9.0 MILS  
Base Bonding Pad Area  
Emitter Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
9.5 x 9.2 MILS  
12.8 x 10.2 MILS  
Al - 30,000Å  
Au - 18,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER  
6,670  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
CMPT7090L  
CXT7090L  
CZT7090L  
CMXT7090L  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110  
Fax: (631) 435-1824  
R2 (12- September 2003)  
www.centralsemi.com  

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