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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CMPD1001S
CMPD1001S PDF预览

CMPD1001S

更新时间： 2024-11-17 22:28:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
HIGH CURRENT SWITCHING DIODE

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CMPD1001S 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SOT-23, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.16
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：90 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CMPD1001S 数据手册

 浏览型号CMPD1001S的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPD1001  
CMPD1001A  
CMPD1001S  
Ce n t r a l  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
HIGH CURRENT  
SWITCHING DIODE  
DESCRIPTION:  
The  
CENTRAL  
SEMICONDUCTOR  
CMPD1001 series types are silicon switching  
diodes manufactured by the epitaxial planar  
process, designed for applications requiring  
high current capability.  
SOT-23 CASE  
The following configurations are available:  
CMPD1001  
CMPD1001S  
CMPD1001A  
SINGLE  
DUAL, IN SERIES  
DUAL, COMMON ANODE  
MARKING CODE: L20  
MARKING CODE: L21  
MARKING CODE: L22  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Continuous Reverse Voltage  
Continuous Forward Current  
Peak Repetitive Forward Current  
Peak Repetitive Reverse Current  
Forward Surge Current, tp=1 µs  
Forward Surge Current, tp=1 s  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
90  
250  
600  
600  
6000  
1000  
350  
V
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
R
I
I
I
I
I
P
F
FRM  
RRM  
FSM  
FSM  
D
o
o
T ,T  
-65 to +150  
357  
C
J stg  
Θ
C/W  
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
90  
MAX  
UNIT  
V
nA  
µA  
V
B
I =100 µA  
VR  
R
I
I
V =90V  
100  
100  
0.75  
R
R
R
o
V =90V, T =150 C  
R
A
V
I =10mA  
F
F
130  
12

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CMPD1001S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAS31,215 NXP

功能相似

 BAS29; BAS31; BAS35 - General purpose controlled avalanche (double) diodes TO-236 3-Pin
BAS31 DIOTEC

功能相似

 Surface Mount Small Signal Dual Diodes
BAS31 NXP

功能相似

 General purpose controlled avalanche double diodes

与CMPD1001S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPD1001SBKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 90V V(RRM), Silicon,
CMPD1001SLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon, SOT-23, 3 PIN
CMPD1001STR13 CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, Silicon,
CMPD1001STR13LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMPD1001TR13LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon,
CMPD200 CENTRAL

获取价格

 		FORWARD REFERENCE DIODE
CMPD2003 CENTRAL

获取价格

 		HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE
CMPD2003_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE
CMPD2003-1 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE
CMPD2003A CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE

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