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CMOSH-4ETR PDF预览

CMOSH-4ETR

更新时间： 2024-09-11 07:20:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 563K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SOD-523, 2 PIN

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CMOSH-4ETR 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOD
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.44
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.33 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：0.75 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.25 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL

CMOSH-4ETR 数据手册

 浏览型号CMOSH-4ETR的Datasheet PDF文件第2页 
CMOSH-4E  
www.centralsemi.com  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT  
SILICON SCHOTTKY DIODE  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMOSH-4E is an  
Enhanced version of the CMOSH-3 Silicon Schottky  
Diode in an SOD-523 Surface Mount Package.  
MARKING CODE: 4E  
ENHANCED SPECIFICATIONS:  
♦ I from 100mA max to 200mA max.  
F
♦ BV from 30V min to 40Vmin.  
R
SOD-523 CASE  
♦ V from 1.0V max to 0.8V max.  
F
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
♦
♦
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Continuous Forward Current  
Peak Repetitive Forward Current  
Peak Forward Surge Current, tp=10ms  
Power Dissipation  
V
40  
200  
RRM  
I
mA  
mA  
F
I
350  
FRM  
I
750  
mA  
FSM  
P
250  
mW  
°C  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
stg  
-65 to +150  
500  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
V =25V  
MIN  
TYP  
MAX  
500  
UNITS  
nA  
μA  
V
I
90  
25  
R
R
R
I
V =25V, T =100°C  
100  
R
A
BV  
I =100µA  
40  
50  
♦
R
R
V
I =2.0mA  
F
0.29  
0.37  
0.61  
0.65  
7.0  
0.33  
0.42  
0.80  
1.0  
V
F
F
F
♦V  
♦V  
I =15mA  
V
F
I =100mA  
F
V
♦♦VF  
I =200mA  
V
F
C
V =1.0V, f=1.0MHz  
pF  
ns  
T
R
t
I =I =10mA, I =1.0mA, R =100Ω  
rr  
5.0  
rr  
♦ Enhanced specification.  
♦♦ Additional Enhanced specification.  
F
R
L
R4 (11-April 2011)  
12

中文翻译

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CMOSH-4ETR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CMOSH-4E CENTRAL

完全替代

 SURFACE MOUNT ENHANCED SPECIFICATION SILICON SCHOTTKY DIODE
BAS40-02V-V-G-08 VISHAY

功能相似

 Small Signal Schottky Diode

与CMOSH-4ETR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMOSH-4ETRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM),
CMOSLDM-100T ETC

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