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CMOSH-4ETRPBFREE

更新时间： 2024-09-15 03:25:07

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CENTRAL		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	563K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM),

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CMOSH-4ETRPBFREE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.33 V	最大非重复峰值正向电流：	0.75 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY

CMOSH-4ETRPBFREE 数据手册

CMOSH-4E

www.centralsemi.com

ENHANCED SPECIFICATION

SURFACE MOUNT

SILICON SCHOTTKY DIODE

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMOSH-4E is an

Enhanced version of the CMOSH-3 Silicon Schottky

Diode in an SOD-523 Surface Mount Package.

MARKING CODE: 4E

ENHANCED SPECIFICATIONS:

♦ I from 100mA max to 200mA max.

♦ BV from 30V min to 40Vmin.

SOD-523 CASE

♦ V from 1.0V max to 0.8V max.

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

♦

Peak Repetitive Reverse Voltage

Continuous Forward Current

Peak Repetitive Forward Current

Peak Forward Surge Current, tp=10ms

Power Dissipation

200

RRM

350

FRM

750

FSM

250

°C

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

T , T

stg

-65 to +150

500

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

V =25V

MIN

TYP

MAX

500

UNITS

μA

V =25V, T =100°C

100

I =100µA

♦

I =2.0mA

0.29

0.37

0.61

0.65

7.0

0.33

0.42

0.80

1.0

♦^V

I =15mA

I =100mA

♦♦_VF

I =200mA

V =1.0V, f=1.0MHz

I =I =10mA, I =1.0mA, R =100Ω

5.0

♦ Enhanced specification.

♦♦ Additional Enhanced specification.

R4 (11-April 2011)

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