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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.78 |
| 最长访问时间： | 250 ns | JESD-30 代码： | R-CDIP-T18 |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 4KX1 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小待机电流： | 2.5 V |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 6.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMM5104D/3Z | RENESAS |
获取价格 |
CMM5104D/3Z |
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| CMM5104D/SAMPLE | RENESAS |
获取价格 |
4KX1 STANDARD SRAM, 200ns, CDIP18 |
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| CMM5104D/SAMPLE | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX1, 200ns, CMOS, CDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
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| CMM5104D1DZ | RENESAS |
获取价格 |
CMM5104D1DZ |
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| CMM5104D1DZ | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX1, 250ns, CMOS, CDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
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| CMM5104D1RZ | RENESAS |
获取价格 |
CMM5104D1RZ |
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| CMM5104D3 | RENESAS |
获取价格 |
CMM5104D3 |
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| CMM5104J/3Z | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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| CMM5104K/3Z | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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| CMM5104K/PROTO | RENESAS |
获取价格 |
4KX1 STANDARD SRAM, 250ns, CDFP24 |
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