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CMM5104K1DZ

更新时间: 2023-05-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 211K
描述
4KX1 STANDARD SRAM, 250ns, CDFP24

CMM5104K1DZ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DFP, FL24,.4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.85最长访问时间:250 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-CDFP-F24
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX1输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装等效代码:FL24,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535V;38534K;883S
最大待机电流:0.0004 A最小待机电流:2.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.0045 mA
最大供电电压 (Vsup):6.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
总剂量:10k Rad(Si) VBase Number Matches:1

CMM5104K1DZ 数据手册

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