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CMM5114AD1DZ PDF预览

CMM5114AD1DZ

更新时间： 2024-01-12 02:02:29
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 46K
描述
1KX4 STANDARD SRAM, 200ns, CDIP18, METAL SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18

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CMM5114AD1DZ 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP18,.3
针数：18Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.88最长访问时间：200 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-CDIP-T18
JESD-609代码：e0内存密度：4096 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：4
功能数量：1端子数量：18
字数：1024 words字数代码：1000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：1KX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP18,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
最大待机电流：0.0005 A最小待机电流：2.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.006 mA
最大供电电压 (Vsup)：6.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
总剂量：10k Rad(Si) V宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

CMM5114AD1DZ 数据手册

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CMM5114A  
Radiation Hardened, High Reliability,  
CMOS/SOS 1024 Word by 4-Bit LSI Static RAM  
November 1995  
Features  
Pinouts  
18 LEAD CERAMIC DUAL-IN-LINE  
METAL SEAL PACKAGE (SBDIP)  
MIL-STD-1835, CDIP2-T18  
• Radiation Hardened to 10K RAD (Si)  
• SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg  
TOP VIEW  
• Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/  
Bit-Day (Typ)  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18  
17  
A6  
A5  
VDD  
A7  
• Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s  
• Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse  
• Latch-Up Free Under Any Conditions  
• Fully Static Operation  
A4  
16 A8  
A3  
15 A9  
A0  
14 I/O1  
13 I/O2  
A1  
• Single Power Supply 4.5V to 6.5V  
• All Inputs and Outputs TTL Compatible  
• Three-State Outputs  
A2  
12  
11  
10  
I/O3  
I/O4  
WE  
CE  
VSS  
• Industry Standard 18 Pin Configuration  
• Low Standby and Operating Power  
• Common Data Inputs and Outputs  
• Gated Address Inputs by CE  
24 LEAD CERAMIC METAL SEAL  
FLATPACK PACKAGE (FLATPACK)  
MIL-STD-1835, CDFP4-F2  
TOP VIEW  
Description  
The CMM5114A is a high reliability 1024 word by 4-bit static  
random access memory using CMOS/SOS technology. It is  
designed for use in memory systems where low power and  
simplicity in use are desirable. TTL compatibility on all I/O  
terminals permits easy system integration.  
1
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
NC  
A6  
VDD  
A7  
2
3
A8  
A5  
4
A9  
A4  
5
NC  
A3  
CMOS/SOS technology permits operation in radiation envi-  
ronments. It is insensitive to neutrons, cannot latch up at any  
dose rate and is resistance to single event upset caused by  
cosmic rays or heavy ions.  
6
NC  
NC  
A0  
7
I/O1  
I/O2  
I/O3  
I/O4  
NC  
8
A1  
9
A2  
10  
11  
12  
NC  
CE  
VSS  
Ordering Information  
WE  
PART NUMBER TEMP RANGE  
PACKAGE  
o
o
CMM5114AK3  
CMM5114AD3  
-55 C to +125 C Class B, 24 Lead Ceramic  
Flatpack (Not Rad Verified)  
o
o
-55 C to +125 C Class B, 18 Lead SBDIP  
(Not Rad Verified)  
o
o
CMM5114AK1DZ -55 C to +125 C Class S, 24 Lead Ceramic  
Flatpack (Rad Verified)  
o
o
CMM5114AD1DZ -55 C to +125 C Class S, 18 Lead SBDIP  
(Rad Verified)  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
Spec Number 518734  
File Number 2081.2  
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
1
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与CMM5114AD1DZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMM5114AD1RZ RENESAS

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 		CMM5114AD1RZ
CMM5114AD3 ROCHESTER

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 		Standard SRAM, 1KX4, 250ns, CMOS, CDIP18, PLASTIC, DIP-18
CMM5114AK1DZ RENESAS

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 		1KX4 STANDARD SRAM, 250ns, CDFP24
CMM5114K1RZ RENESAS

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CMM5-22SD15S25-Z-30 WINCHESTER

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 		2.0-6.0 GHz GaAs MMIC Amplifier
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 		Wide Band Low Power Amplifier, 2000MHz Min, 6000MHz Max, 0.039 X 0.040 INCH, ROHS COMPLIAN
CMM-5-BD-000W MIMIX

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