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CMM5104K1RZ

更新时间: 2024-02-22 06:49:49
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瑞萨 - RENESAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 556K
描述
CMM5104K1RZ

CMM5104K1RZ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DFP, FL24,.4Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:250 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDFP-F24
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:24字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DFP
封装等效代码:FL24,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535V;38534K;883S最大待机电流:0.0004 A
最小待机电流:2.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.0045 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL总剂量:100k Rad(Si) V
Base Number Matches:1

CMM5104K1RZ 数据手册

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