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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 250 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 4KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP18,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535V;38534K;883S | 最大待机电流： | 0.0004 A |
| 最小待机电流： | 2.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.0045 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 总剂量： | 10k Rad(Si) V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMM5104D1RZ | RENESAS |
获取价格 |
CMM5104D1RZ |
|
| CMM5104D3 | RENESAS |
获取价格 |
CMM5104D3 |
|
| CMM5104J/3Z | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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| CMM5104K/3Z | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| CMM5104K/PROTO | RENESAS |
获取价格 |
4KX1 STANDARD SRAM, 250ns, CDFP24 |
|
| CMM5104K1DZ | RENESAS |
获取价格 |
4KX1 STANDARD SRAM, 250ns, CDFP24 |
|
| CMM5104K1RZ | RENESAS |
获取价格 |
CMM5104K1RZ |
|
| CMM5104K3 | RENESAS |
获取价格 |
4KX1 STANDARD SRAM, 250ns, CDFP24 |
|
| CMM5114AD/SAMPLE | RENESAS |
获取价格 |
1KX4 STANDARD SRAM, 250ns, CDIP18 |
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| CMM5114AD1DZ | RENESAS |
获取价格 |
1KX4 STANDARD SRAM, 200ns, CDIP18, METAL SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18 |
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