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CM7N65K（R）

更新时间： 2024-09-17 15:19:35

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晶导 - JINGDAO		/
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11页	770K
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TO-262

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CM7N65K（R）数据手册

CM7N65K

深圳市晶导电子有限公司

ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.

www.jdsemi.cn

POWER MOSFET

1、主要参数 Main Characteristics

2、用途 Applications

V_DSS

I_D

650



高频开关电源 High frequency switching mode

power supply

P_D

110

1.0

R_DSONTYP



电子镇流器 Electronic ballast

UPS 电源 Uninterruptible Power Supply

PFC 功率因数校正 Power Factor Correction

大功率开关电源 High power switching power supply

电焊机控制 Control of electric welding machine

TO-262

3、产品特性 Features



低栅极电荷 Low gate charge

低 Crss (典型值 17pF) Low Crss (typical 17pF )

开关速度快 Fast switching speed

产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested

高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability

RoHS 产品 RoHS product

1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S)

4．电特性 Electrical Characteristics

4.1极限值 Absolute Ratings (T_C= 25℃)

参数名称 Parameter

漏极-源极电压

符号 Symbol

V_DSS

I_D

额定值 Value

单位 Unit

650

Drain-Source Voltage

T_C= 25 °C

连续漏极电流

Drain Current -continuous

最大脉冲漏极电流（注 1）

Drain Current - pulse（note 1）

栅源电压

T_C= 100 °C

4.5

I_DM

±30

450

3.3

V_GS

E_AS

Gate-Source Voltage

单脉冲雪崩能量（注 2）

Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）

雪崩电流（注 1）

I_AR

Avalanche Current（note 1）

重复雪崩能量（注 1）

E_AR

V/ns

℃

Repetitive Avalanche Energy （note 1）

二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）

Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）

耗散功率

dv/dt

P_D

5.0

110

Power Dissipation

结温，贮存温度

T_j，T_stg

150，-55～150

Operating and Storage Temperature Range

地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层

电话：0755-29799516

传真：0755-29799515

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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