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CM800DZB-34N

更新时间： 2024-10-30 12:50:55

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
7页	97K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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CM800DZB-34N 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X6	针数：	10
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	800 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	5200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	3600 ns	标称接通时间 (ton)：	2100 ns
VCEsat-Max：	2.7 V	Base Number Matches：	1

CM800DZB-34N 数据手册

MITSUBISHI HVIGBT MODULES

CM800DZB-34N

HIGH POWER SWITCHING USE

4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

INSULATED TYPE

CM800DZB-34N

● IC...................................................................800A

● VCES ....................................................... 1700V

● Insulated Type

● 2-element in a Pack

● AISiC Baseplate

● Trench Gate IGBT : CSTBT

● Soft Reverse Recovery Diode

APPLICATION

Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

130

114

4 - M8 NUTS

57 0.25

4(E1)

2(C2)

3(C1)

1(E2)

CIRCUIT DIAGRAM

6 - φ 7 MOUNTING HOLES

6 - M4 NUTS

55.2

screwing depth

min. 16.5

11.5

11.85

screwing depth

min. 7.7

LABEL

HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

Sep. 2009

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CM800E2C-66H	MITSUBISHI	获取价格	2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules
CM800E2Z-66H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE
CM800E6C-66H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM800HA24H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 800A I(C)
CM800HA-24H	POWEREX	获取价格	Single IGBTMOD 800 Amperes/1200 Volts
CM800HA-24H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM800HA28H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.4KV V(BR)CES \| 800A I(C)
CM800HA-28H	POWEREX	获取价格	Single IGBTMOD 800 Amperes/1400 Volts
CM800HA34H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.7KV V(BR)CES \| 800A I(C)
CM800HA-34H	POWEREX	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE