是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9 | 针数: | 9 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.78 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 600 A | 集电极-发射极最大电压: | 6500 V |
配置: | COMPLEX | JESD-30 代码: | R-XUFM-X9 |
元件数量: | 3 | 端子数量: | 9 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 9900 ns |
标称接通时间 (ton): | 1550 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CM1000E4C-66R | MITSUBISHI |
功能相似 ![]() |
HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CM600HG-90H | MITSUBISHI |
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HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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CM600HN-5F | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE |
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CM600HN-5F_09 | MITSUBISHI |
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IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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CM600HU-12F | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE |
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CM600HU-12F | POWEREX |
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Trench Gate Design Single IGBTMOD⑩ 600 Ampere |
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CM600HU-12F_09 | MITSUBISHI |
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IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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CM600HU-12H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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CM600HU-12H | POWEREX |
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Single IGBTMOD 600 Amperes/600 Volts |
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CM600HU-12H_09 | MITSUBISHI |
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IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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CM600HU-24F | POWEREX |
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Trench Gate Design Single IGBTMOD⑩ 600 Ampere |
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