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CM600HG-130H

更新时间: 2024-02-08 19:22:53
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
8页 111K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

CM600HG-130H 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9针数:9
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.78
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):600 A集电极-发射极最大电压:6500 V
配置:COMPLEXJESD-30 代码:R-XUFM-X9
元件数量:3端子数量:9
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):9900 ns
标称接通时间 (ton):1550 nsBase Number Matches:1

CM600HG-130H 数据手册

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MITSUBISHI HVIGBT MODULES  
CM600HG-130H  
HIGH POWER SWITCHING USE  
3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules  
INSULATED TYPE  
CM600HG-130H  
IC..................................................................600 A  
VCES ...................................................... 6500 V  
High Insulated Type  
1-element in a Pack  
AISiC Baseplate  
APPLICATION  
Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
190 0.5  
5-M8 NUTS  
57 0.25  
57 0.25  
57 0.25  
(6)  
C
(4)  
C
(2)  
C
6
5
4
3
2
1
C
G
E
E
E
E
E
(5)  
(3)  
(1)  
G
C
CIRCUIT DIAGRAM  
3-M4 NUTS  
8-φ7 MOUNTING HOLES  
14 0.3  
59.2 0.5  
61.2 0.5  
61.2 0.5  
12 0.3  
18 0.3  
41 0.5  
screwing depth  
min. 16.5  
22 0.3  
screwing depth  
min. 7.7  
LABEL  
HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules  
May 2009  

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