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CM600HG-130H

更新时间： 2024-11-18 12:50:55

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
8页	111K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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CM600HG-130H 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	600 A
集电极-发射极最大电压：	6500 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X6
元件数量：	3	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	8900 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	8700 ns
标称接通时间 (ton)：	1550 ns	Base Number Matches：	1

CM600HG-130H 数据手册

MITSUBISHI HVIGBT MODULES

CM600HG-130H

HIGH POWER SWITCHING USE

3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

INSULATED TYPE

CM600HG-130H

● IC..................................................................600 A

● VCES ...................................................... 6500 V

● High Insulated Type

● 1-element in a Pack

● AISiC Baseplate

APPLICATION

Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

190 0.5

5-M8 NUTS

57 0.25

(6)

(4)

(2)

(5)

(3)

(1)

CIRCUIT DIAGRAM

3-M4 NUTS

8-φ7 MOUNTING HOLES

14 0.3

59.2 0.5

61.2 0.5

12 0.3

18 0.3

41 0.5

screwing depth

min. 16.5

22 0.3

screwing depth

min. 7.7

LABEL

HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

May 2009

12 3 4 5 6 7 8

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CM600HG-130H 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CM1000E4C-66R	MITSUBISHI	功能相似	HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

与CM600HG-130H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CM600HG-130X	MITSUBISHI	获取价格	HVIGBT模块 / HVIPM X系列 CM600HG-130X
CM600HG-90H	MITSUBISHI	获取价格	HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM600HN-5F	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE
CM600HN-5F_09	MITSUBISHI	获取价格	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM600HU-12F	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE
CM600HU-12F	POWEREX	获取价格	Trench Gate Design Single IGBTMOD⑩ 600 Ampere
CM600HU-12F_09	MITSUBISHI	获取价格	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM600HU-12H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM600HU-12H	POWEREX	获取价格	Single IGBTMOD 600 Amperes/600 Volts
CM600HU-12H_09	MITSUBISHI	获取价格	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE