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CM600HU-24F

更新时间: 2024-02-04 02:49:23
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管功率控制局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
4页 70K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE

CM600HU-24F 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数:4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.18
其他特性:UL RECOGNIZED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):600 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):3100 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:MOTOR CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):800 ns标称接通时间 (ton):1000 ns
VCEsat-Max:3.7 VBase Number Matches:1

CM600HU-24F 数据手册

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MITSUBISHI IGBT MODULES  
CM600HU-24F  
HIGH POWER SWITCHING USE  
CM600HU-24F  
¡IC ...................................................................600A  
¡VCES ......................................................... 1200V  
¡Insulated Type  
¡1-elements in a pack  
APPLICATION  
General purpose inverters & Servo controls, etc  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
110  
±0.25  
93  
2–M4NUTS  
2–M8NUTS  
13.5  
24.5  
29  
21.5  
G
E
C
E
CM  
18  
4–φ6.5MOUNTING HOLES  
Tc measured point  
4
E
C
LABEL  
RTC  
E
G
CIRCUIT DIAGRAM  
Aug. 1999  

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