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CM600HU-24F

更新时间： 2024-11-17 22:05:03

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CM600HU-24F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	600 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RTC	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1900 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	2.4 V	Base Number Matches：	1

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM600HU-24F

HIGH POWER SWITCHING USE

CM600HU-24F

¡IC ...................................................................600A

¡VCES ......................................................... 1200V

¡Insulated Type

¡1-elements in a pack

APPLICATION

General purpose inverters & Servo controls, etc

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

110

±0.25

2–M4NUTS

2–M8NUTS

13.5

24.5

21.5

4–φ6.5MOUNTING HOLES

Tc measured point

LABEL

RTC

CIRCUIT DIAGRAM

Aug. 1999

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CM600HU-24F	POWEREX	功能相似	Trench Gate Design Single IGBTMOD⑩ 600 Ampere

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CM600HU-24F_09	MITSUBISHI	获取价格	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM600HU-24H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM600HU-24H	POWEREX	获取价格	Single IGBTMOD 600 Amperes/1200 Volts
CM600HU-24H_09	MITSUBISHI	获取价格	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM600HX-12A	MITSUBISHI	获取价格	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM600HX-24A	MITSUBISHI	获取价格	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM600YE2N-12F	POWEREX	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-8
CM600YE2P-12F	POWEREX	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-8
CM601	ETC	获取价格	Analog IC
CM601-1	CML	获取价格	B-6 Single Bayonet Base, B-3 1/2 Single Contact Miniature Flange Base