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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 600 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1890 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 2.1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM600HX-24A | MITSUBISHI |
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IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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| CM600YE2N-12F | POWEREX |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-8 |
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| CM600YE2P-12F | POWEREX |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-8 |
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| CM601 | ETC |
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Analog IC |
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| CM601-1 | CML |
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B-6 Single Bayonet Base, B-3 1/2 Single Contact Miniature Flange Base |
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| CM60130GK | CHEMI-CON |
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General Purpose Inductor, 13uH, 1 Element, Amorphous Magnetic-Core |
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| CM60130GKD | CHEMI-CON |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 13uH, 1 Element, Amorphous Magnetic-Core |
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| CM60130GKE | CHEMI-CON |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 13uH, 1 Element, Amorphous Magnetic-Core |
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| CM602 | ETC |
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Analog IC |
|
| CM6022 | CML |
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T-1 Wire Terminal (standard) |
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