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CM600HG-90H

更新时间： 2024-01-29 00:34:44

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
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7页	98K
描述
HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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CM600HG-90H 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	600 A
集电极-发射极最大电压：	4500 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
元件数量：	2	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	7500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CM600HG-90H 数据手册

MITSUBISHI HVIGBT MODULES

CM600HG-90H

HIGH POWER SWITCHING USE

3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

INSULATED TYPE

CM600HG-90H

● IC..................................................................600 A

● VCES ...................................................... 4500 V

● High Insulated Type

● 1-element in a Pack

● AISiC Baseplate

APPLICATION

Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

130 0.5

4-M8 NUTS

57 0.25

(4)

(2)

>PET+PBT<

(3)

(1)

CIRCUIT DIAGRAM

>PET+PBT<

3-M4 NUTS

28.5 0.5

42.5 0.5

6-φ7 MOUNTING HOLES

30.7 0.5

18 0.3

61.2 0.5

16.5 0.3

41 0.5

screwing depth

min. 16.5

22 0.3

screwing depth

min. 7.7

L A B E L

HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

May 2009

12 3 4 5 6 7

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