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CDST-20-G

更新时间： 2024-11-16 12:54:27

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上华 - COMCHIP		二极管开关
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4页	375K
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SMD Switching Diodes

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CDST-20-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.81
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.2 A
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	150 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

CDST-20-G 数据手册

SMD Switching Diodes

CDST-19-G/20-G

High Speed

RoHS Device

Features

SOT-23

- Fast switching diode.

0.119 (3.00)

0.110 (2.80)

- Surface mount package ideally for automatic

insertion.

- For general purpose switching applications.

- High conductance.

0.056 (1.40)

0.047 (1.20)

0.083 (2.10)

0.066 (1.70)

Mechanical data

0.006 (0.15)

0.003 (0.08)

- Case: SOT-23

0.041 (1.05)

0.035 (0.90)

0.103 (2.60)

0.086 (2.20)

- Terminals: Solder plated, solderable per

MIL-STD-750, Method 2026.

- Weight: 0.008 gram.

0.006 (0.15) max

0.007 (0.20) min

0.020 (0.50)

0.012 (0.30)

Circuit Diagram

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Rating (at Ta=25°C unless otherwise noted)

Symbol

CDST-20-G

Parameter

CDST-19-G

Unit

Non-Repetitive peak reverse voltage

DC blocking voltage

VRM

100

150

Average rectified output current

Power dissipation

200

250

^OC/W

^OC

Thermal resistance-Junction to ambient air

Junction temperature

RθJA

500

150

^OC

Storage temperature range

TSTG

-65 ~ +150

Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)

Max

0.1

Unit

Symbol

Min

Parameter

Test Conditions

100

150

CDST-19-G

CDST-20-G

Reverse breakdown voltage

VBR

IR=100uA

CDST-19-G

CDST-20-G

VR=100V

VR=150V

Reverse leakage current

Forward voltage

IF=100mA

IF=200mA

1.25

Junction capacitance

Reverse recovery time

VR=0V, f=1MHZ

trr

IF=IR=30mA, Irr=0.1XIR

Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.

REV:B

Page 1

QW-B0021

Comchip Technology CO., LTD.

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