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CDP68HC68R2E

更新时间: 2024-11-29 21:11:15
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 210K
描述
256X8 STANDARD SRAM, PDIP8

CDP68HC68R2E 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:MINI, PLASTIC, DIP-8针数:8
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.91
其他特性:PAGE SELECTION OPTION最大时钟频率 (fCLK):2.5 MHz
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:8字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256X8输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.01 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

CDP68HC68R2E 数据手册

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