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CDP68HC68R2EX

更新时间: 2024-01-06 08:51:10
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 时钟静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 409K
描述
CDP68HC68R2EX

CDP68HC68R2EX 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.91
最大时钟频率 (fCLK):2.5 MHzI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e0
内存密度:2048 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端口数量:1, (3 LINE)
端子数量:8字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256X8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:SERIAL
最大待机电流:0.000001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.01 mA
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

CDP68HC68R2EX 数据手册

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