是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8536.41.00.20 | 风险等级: | 8.78 |
最大可调时间延迟: | 10 s | 最小可调时间延迟: | 0.1 s |
主体宽度: | 45.2 mm | 主体高度: | 74.6 mm |
主体长度或直径: | 61.1 mm | 线圈电流(交流)最大值: | 0.025 A |
线圈功率: | 3000 mW | 最大线圈电压(交流): | 120 V |
线圈/输入电源类型: | AC | 触点(交流)最大额定R负载: | 10A@277VAC |
最大触点电流(交流): | 10 A | 最大触点电流(直流): | 10 A |
触点(直流)最大额定R负载: | 10A@30VDC | 最大触点电压(交流): | 277 V |
最大触点电压(直流): | 30 V | 触点/输出电源类型: | AC/DC |
电气寿命: | 100000 Cycle(s) | 安装特点: | SOCKET MOUNT |
最高工作温度: | 55 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
物理尺寸: | 61.1mm x 45.2mm x 74.6mm | 参考标准: | CSA; UL |
继电器动作: | MOMENTARY | 继电器功能: | DPDT |
继电器类型: | ON-DELAY RELAY | 表面贴装: | NO |
端接类型: | SNAP-ON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CDF56G6511N | CENTRAL |
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11.5A,650V Surface mount Wide-Bandgap GaN N-Channel FET |
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CDF56G6517N | CENTRAL |
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17A,650V Surface mount Wide-Bandgap GaN N-Channel FET |
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CDF7621 | SKYWORKS |
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Diode, |
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CDF7621-000 | ALPHA |
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Silicon Schottky Diode Chips |
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CDF7621-000 | SKYWORKS |
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Silicon Schottky Diode Chips |
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CDF7621-108 | SKYWORKS |
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Mixer Diode, Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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CDF7621-526-001 | SKYWORKS |
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Mixer Diode, Low Barrier, K Band, Silicon |
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CDF7623 | SKYWORKS |
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Diode, |
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CDF7623-000 | SKYWORKS |
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Silicon Schottky Diode Chips |
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CDF7623-000 | ALPHA |
获取价格 |
Silicon Schottky Diode Chips |
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