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CDDFN10-2574N

更新时间： 2024-11-09 14:48:27
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 476K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode,

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CDDFN10-2574N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：1.72二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CDDFN10-2574N 数据手册

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Features  
Applications  
nꢀ WAN/LANꢀdevicesꢀꢀ  
nꢀ 10/100/1000ꢀEthernet  
nꢀ IECꢀ61000-4-2ꢀ(ESD)ꢀ±±0ꢀkVꢀ(Air/Contact)ꢀ  
ꢀꢀ IECꢀ61000-4-5ꢀ(Lightning)ꢀ45ꢀAꢀ(8/20ꢀμs)ꢀ  
nꢀꢀESDꢀprotectionꢀtoꢀIECꢀ61000-4-2ꢀ(Levelꢀ4)  
nꢀ RoHSꢀcompliant*  
ꢀꢀCDDFN10-2574Nꢀ-ꢀSurfaceꢀMountꢀTVSꢀDiodeꢀArray  
General Information  
Pin 1  
Pin 4  
The Model CDDFN10-2574N device provides Electrostatic  
Discharge (ESD), Electrical Fast Transients (EFT), Lightning,  
and Cable Discharge Event (CDE) protection for high-speed  
data ports, meeting IEC 61000-4-2 (ESD) requirements.  
The Transient Voltage Suppressor array, protecting up to four  
data lines, offers a Working Peak Reverse Voltage of 2.5 V and  
a Minimum Breakdown Voltage of 3 V.  
Line 1 In  
Line 3 In  
Pin 10  
Line 1 Out  
Pin 7  
Line 3 Out  
Pin 2  
Pin 6  
Line 2 In  
Line 4 In  
The DFN10 packaged device has a low typical capacitance of  
only 1.7 pF between I/O lines. This allows it to be used for  
protecting sensitive components used on high-speed interfaces.  
The small footprint of the device allows for flow-through routing  
on the PCB, helping to maintain matched impedances of the  
high-speed data lines.  
Pin 9  
Line 2 Out  
Pin 6  
Line 4 Out  
Absolute Maximum Ratings (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
CDDFN10-2574N  
45  
Unit  
Peak Pulse Current (t = 8/20 μS)  
I
A
p
pp  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
T
-55 to +85  
-55 to +150  
ºC  
ºC  
OP  
T
STG  
Electrical Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
2.5  
7
Unit  
Working Peak Reverse Voltage  
Breakdown Voltage @ 1 mA  
V
V
V
WM  
V
3
BR  
Leakage Current @ V  
I
1
µA  
WM  
R
Capacitance @ 1.25 V, f = 1 MHz  
(Between I/O Pins)  
C
1.7  
2.5  
11  
pF  
V
IN  
Clamping Voltage @ 8/20 µs @ I  
PP  
V
C
ESD Protection per IEC 6-1000-4-2  
Contact Discharge  
±30  
±30  
kV  
Air Discharge  
*RoHSꢀDirectiveꢀ2015/86±,ꢀMarꢀ±1,ꢀ2015ꢀandꢀAnnex.  
Specificationsꢀareꢀsubjectꢀtoꢀchangeꢀwithoutꢀnotice.  
Theꢀdeviceꢀcharacteristicsꢀandꢀparametersꢀinꢀthisꢀdataꢀsheetꢀcanꢀandꢀdoꢀvaryꢀinꢀdifferentꢀapplicationsꢀandꢀactualꢀdeviceꢀperformanceꢀmayꢀvaryꢀoverꢀtime.  
Usersꢀshouldꢀverifyꢀactualꢀdeviceꢀperformanceꢀinꢀtheirꢀspecificꢀapplications.  
12345

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