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CDDFN2-T3.3C PDF预览

CDDFN2-T3.3C

更新时间： 2024-02-28 03:11:26
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 291K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 3.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, 1 X 0.60 MM, 0.55 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-2

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CDDFN2-T3.3C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DFN包装说明：R-PDSO-N2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.82其他特性：LOW CAPACITANCE
最大击穿电压：6.5 V最小击穿电压：4 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-N2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：BIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：3.3 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：TIN端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CDDFN2-T3.3C 数据手册

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Features  
Model CDDFN2-T3.3C is obsolete.  
■ Bidirectional TVS 3.3 V  
■ Low capacitance - 23 pF  
■ ESD protection >25 kV  
■ Fits 0402 footprint  
CDDFN2-T3.3C - Surface Mount TVS Diode  
General Information  
The CDDFN2-T3.3C device provides ESD, EFT and Surge protection for external ports of electronic  
devices such as cellular phones, handheld electronics and other portable electronic devices.  
The device measures 1.0 mm x 0.60 mm x 0.55 mm and is available in a DFN-2 package and is  
intended to be mounted directly onto an FR4 printed circuit board. The device will fit a 0402 footprint.  
The device is designed to meet IEC 61000-4-2 (ESD), IEC 61000-4-4 (EFT) and IEC61000-4-5 (Surge)  
protection requirements.  
Thermal Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
3.8  
Unit  
V
Operating Supply Voltage  
Peak Pulse Current @ 8/20 μs  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
V
-3.8  
DC  
I
5
A
pp  
T
-55  
5  
+25  
+25  
+125  
+150  
ºC  
ºC  
OPR  
T
STG  
Electrical Characteristics (@ T = 25 °C leswise Noted)  
A
Parameter  
Sbo
Min.  
Typ.  
Max.  
3.3  
6.5  
0.5  
28  
Unit  
V
Working Peak Voltage  
Breakdown Voltage @ 1 mA  
Leakage Current @ 5 V  
Capacitance @ 0 V, 1 MHz  
V
3.0  
WM  
V
4
V
BR  
I
0.05  
23  
μA  
pF  
V
L
C
J
C
C
Clamping Voltage @ I = 1 A, 8/20 μs  
V
V
4.5  
6
5.5  
7
P
Clamping Voltage @ I = 5 A, 8/20 μs  
V
PP  
ESD Protection per IEC 61000-4-2  
Contact Discharge  
ESD  
ESD  
8
15  
30  
30  
kV  
kV  
Air Discharge  
EFT Protection per IEC 61000-4-4  
@ 5/50 nS  
EFT  
80  
5
A
A
Surge Protection per IEC 61000-4-5  
@ 8/20 μs  
Surge  
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003 including Annex.  
Specifications are subject to change without notice.  
Customers should verify actual device performance in their specific applications.  
1234

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