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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CDBD5200-HF
CDBD5200-HF PDF预览

CDBD5200-HF

更新时间： 2024-11-25 12:54:31
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
4页 247K
描述
SMD Schottky Barrier Rectifiers

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CDBD5200-HF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.92 V
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：500 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CDBD5200-HF 数据手册

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SMD Schottky Barrier Rectifiers  
CDBD540-HF Thru. CDBD5200-HF  
Reverse Voltage: 40 to 200 Volts  
Forward Current: 5.0 Amp  
RoHS Device  
Halogen Free  
Features  
- Batch process design, excellent power dissipation  
offers better reverse leakage current and thermal  
resistance.  
- Low power loss, high efficiency.  
TO-252/DPAK  
0.264(6.70)  
0.248(6.30)  
0.048(1.20)  
0.031(0.80)  
0.098(2.50)  
0.083(2.10)  
0.217(5.50)  
0.201(5.10)  
0.024(0.60)  
0.016(0.40)  
- High current capability, low forward voltage drop.  
- High surge capability.  
0.244(6.20)  
0.228(5.80)  
- Guard ring for over voltage protection.  
- Ultra high-speed switching.  
0.024(0.60)  
0.016(0.40)  
- Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction.  
- Lead-free parts meet environmental standards of  
MIL-STD-19500 /228  
0.114(2.90)  
0.098(2.50)  
0.039(1.00)  
0.031(0.80)  
0.185(4.70)  
0.169(4.30)  
0.032(0.80)  
0.016(0.40)  
Mechanical data  
- Epoxy: UL94-V0 rated flame retardant.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
- Case: Molded plastic, TO-252/DPAK  
Circuit diagram  
- Terminals: Solder plated, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026.  
2=4  
- Mounting Position: Any  
- Weight: 0.34 grams (approx.).  
1
3
Maximum Ratings and Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)  
CDBD  
CDBD  
CDBD  
CDBD  
CDBD  
CDBD  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
RMS voltage  
Unit  
V
540-HF  
545-HF  
560-HF  
5100-HF 5150-HF 5200-HF  
VRRM  
40  
40  
28  
45  
45  
60  
60  
42  
100  
100  
70  
150  
150  
105  
200  
200  
140  
VR  
V
VRMS  
V
31.5  
Maximum forward voltage  
IF=5.0A  
VF  
IO  
V
A
0.55  
0.70  
0.85  
0.90  
0.92  
Forward rectified current (See fig. 1)  
5.0  
Forward surge current, 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated  
load (JEDEC method)  
IFSM  
150  
A
VR=VRRM TA=25°C  
Reverse current  
IR  
IR  
0.5  
20  
mA  
mA  
VR=VRRM TA=100°C  
Operating temperature  
-55 to +125  
-55 to +150  
TJ  
°C  
°C  
-65 to +175  
Storage temperature  
TSTG  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
REV:B  
Page 1  
QW-JB054  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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