是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP14,.3 |
针数: | 14 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.44 |
其他特性: | RADIATION HARDENED; WITH EXTENDED INPUT VOLTAGE; IOL = 25MA @ VOL = 1V | 系列: | 4000/14000/40000 |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T14 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 19.43 mm | 负载电容(CL): | 50 pF |
逻辑集成电路类型: | NAND GATE | 最大I(ol): | 0.00036 A |
功能数量: | 2 | 输入次数: | 2 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 输出特性: | OPEN-DRAIN |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP14,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 电源: | 5/15 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 270 ns | 传播延迟(tpd): | 270 ns |
认证状态: | Not Qualified | 施密特触发器: | NO |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class V | 座面最大高度: | 5.08 mm |
子类别: | Gates | 最大供电电压 (Vsup): | 18 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 总剂量: | 100k Rad(Si) V |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CD40107BE | TI |
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CMOS DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER | |
CD40107BE | ROCHESTER |
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4000/14000/40000 SERIES, DUAL 2-INPUT NAND GATE, PDIP14, PACKAGE-14 | |
CD40107BE | RENESAS |
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NAND GATE | |
CD40107BE98 | RENESAS |
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CD40107BE98 | |
CD40107BF | TI |
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CMOS DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER | |
CD40107BF | RENESAS |
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IC,LOGIC GATE,DUAL 2-INPUT NAND,CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC | |
CD40107BF3A | TI |
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CMOS DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER | |
CD40107BF3A | RENESAS |
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NAND GATE | |
CD40107BFMSH | RENESAS |
获取价格 |
NAND Gate, 4000/14000/40000 Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14 | |
CD40107BH | ETC |
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Logic IC |