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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP-14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 8 weeks | 风险等级： | 1.83 |
| Is Samacsys： | N | 系列： | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | 长度： | 19.56 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 功能数量： | 2 | |
| 输入次数： | 2 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | OPEN-DRAIN | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 包装方法： | TUBE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5/15 V | 最大电源电流（ICC）： | 0.12 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 200 ns | 传播延迟（tpd）： | 200 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Gates | 最大供电电压 (Vsup)： | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 6.67 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CD40107BFMSH | RENESAS |
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NAND Gate, 4000/14000/40000 Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14 |
|
| CD40107BH | ETC |
获取价格 |
Logic IC |
|
| CD40107BKMSH | RENESAS |
获取价格 |
NAND Gate, 4000/14000/40000 Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14 |
|
| CD40107BKMSR | ETC |
获取价格 |
Dual 2-input NAND Gate |
|
| CD40107BM | TI |
获取价格 |
CMOS DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER |
|
| CD40107BM96 | TI |
获取价格 |
CMOS DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER |
|
| CD40107BM96E4 | TI |
获取价格 |
CMOS Dual 2-Input NAND Buffer/Driver 8-SOIC -55 to 125 |
|
| CD40107BME4 | TI |
获取价格 |
CMOS Dual 2-Input NAND Buffer/Driver 8-SOIC -55 to 125 |
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| CD40107B-MIL | TI |
获取价格 |
具有开漏输出的军用 2 通道、2 输入、3V 至 18V 与非门 |
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| CD40107BMS | INTERSIL |
获取价格 |
CMOS Dual 2 Input NAND Buffer/Driver |
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