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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 6 weeks | 风险等级： | 5.43 |
| 系列： | 4000/14000/40000 | JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 |
| 长度： | 19.56 mm | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE | 最大I（ol）： | |
| 功能数量： | 2 | 输入次数： | 2 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 输出特性： | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 包装方法： | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5/15 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 0.12 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 200 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 200 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Gates | 最大供电电压 (Vsup)： | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 6.67 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CD40107BF3A | TI |
获取价格 |
CMOS DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER |
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| CD40107BF3A | RENESAS |
获取价格 |
NAND GATE |
|
| CD40107BFMSH | RENESAS |
获取价格 |
NAND Gate, 4000/14000/40000 Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14 |
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| CD40107BH | ETC |
获取价格 |
Logic IC |
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| CD40107BKMSH | RENESAS |
获取价格 |
NAND Gate, 4000/14000/40000 Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14 |
|
| CD40107BKMSR | ETC |
获取价格 |
Dual 2-input NAND Gate |
|
| CD40107BM | TI |
获取价格 |
CMOS DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER |
|
| CD40107BM96 | TI |
获取价格 |
CMOS DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER |
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| CD40107BM96E4 | TI |
获取价格 |
CMOS Dual 2-Input NAND Buffer/Driver 8-SOIC -55 to 125 |
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| CD40107BME4 | TI |
获取价格 |
CMOS Dual 2-Input NAND Buffer/Driver 8-SOIC -55 to 125 |
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