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CD40107BE

更新时间: 2024-11-05 21:55:03
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 驱动器栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件
页数 文件大小 规格书
10页 383K
描述
CMOS DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER

CD40107BE 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01Factory Lead Time:1 week
风险等级:1.25Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:180955
Samacsys Pin Count:8Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Dual-In-Line PackagesSamacsys Footprint Name:P (R-PDIP-T8)
Samacsys Released Date:2015-06-24 00:00:00Is Samacsys:N
系列:4000/14000/40000JESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e4长度:9.81 mm
负载电容(CL):50 pF逻辑集成电路类型:NAND GATE
最大I(ol):0.089 A功能数量:2
输入次数:2端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
输出特性:OPEN-DRAIN封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
包装方法:TUBE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5/15 V最大电源电流(ICC):0.12 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup:200 ns传播延迟(tpd):200 ns
认证状态:Not Qualified施密特触发器:NO
座面最大高度:5.08 mm子类别:Gates
最大供电电压 (Vsup):18 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:6.35 mm
Base Number Matches:1

CD40107BE 数据手册

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The CD40107B is  
a dual 2-input NAND  
buffer/driver containing two independent  
2-input NAND buffers with open-drain single  
n-channel transistor outputs. This device  
features a wired-OR capability and high output  
sink current capability (136 mA typ. at  
V
= 10 V, V = 1 V). The CD40107B is  
DD  
DS  
supplied in 8-lead hermetic dual-in-line ceramic  
packages (F3A suffix), 8-lead dual-in-line  
plastic packages (E suffix), 8-lead small-outline  
packages (M, M96, MT, and PSR suffixes), and  
8-lead thin shrink small-outline packages (PW  
and PWR suffixes).  
Copyright 2003, Texas Instruments Incorporated  

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