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CD2315

更新时间： 2024-11-05 22:40:07

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	18K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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CD2315 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	10 A	基于收集器的最大容量：	80 pF
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	140 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CD2315 数据手册

CD2315

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

The ASI CD2315 is designed for

broadband amplifier applications in

commercial and amateur

.112 x 45°

Ø.125 NOM.

FULL R

communication equipment.

.125

FEATURES:

• P_G= 18 dB min. at 75 W/30 MHz

• IMD₃= -30 dBc max. at 75 W ^(PEP)

• Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

MAXIMUM RATINGS

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

I_C

V_CB

V_CE

P_DISS

T_J

10 A

60 V

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

35 V

140 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.05 °C/W

.240 / 6.10

1 = Collector 2 = Emitter 3 = Base

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_E= 28 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 Ω

4.0

---

h_FE

_CE= 5.0 V

_CB= 28 V

_CE= 25 V

I_C= 1.0 A

100

C_ob

f = 1.0 MHz

I_CQ= 3.2 A

f = 225 MHz

Snd. = -7 dB

G_PE

13.5

14.5

P_REF= 16 W

Vision = -8 dB

IMD₃

-55

dBc

Side Band = -16 dB

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CD2320-B11000	BOURNS	获取价格	CD2320-B1200~B11000 Surface Mount Bridge Rectifier Diode
CD2320-B1200	BOURNS	获取价格	CD2320-B1200~B11000 Surface Mount Bridge Rectifier Diode
CD2320-B1400	BOURNS	获取价格	CD2320-B1200~B11000 Surface Mount Bridge Rectifier Diode
CD2320-B1600	BOURNS	获取价格	CD2320-B1200~B11000 Surface Mount Bridge Rectifier Diode
CD2320-B1800	BOURNS	获取价格	CD2320-B1200~B11000 Surface Mount Bridge Rectifier Diode
CD2328AO	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-92
CD2328AY	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-92
CD2337	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 1.5A I(C) \| STX-8
CD2383	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92
CD2383O	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92

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