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CD13001F

更新时间： 2024-11-29 04:11:27
品牌 Logo 应用领域
CDIL 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 160K
描述
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

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CD13001F 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.69
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：35
JESD-609代码：e0最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.9 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT)：8 MHz
Base Number Matches：1

CD13001F 数据手册

 浏览型号CD13001F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CD13001F的Datasheet PDF文件第3页 
IS/ISO 9002  
Lic# QSC/L- 000019.2  
Continental Device India Limited  
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer  
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR  
CD13001  
TO - 92  
Plastic Package  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta =25ºC )  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
VCBO  
500  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current Continuous  
Peak (1)  
Collector Power Dissipation  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
VCEO  
VEBO  
IC  
ICM  
PC  
400  
9.0  
0.5  
1.5  
900  
V
V
A
mW  
ºC  
Tj, Tstg  
- 55 to +150  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle<10%  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN  
TYP MAX  
UNIT  
VCBO  
IC=100µA, IE=0  
500  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Cut off Current  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE*  
hFE  
VCE(sat)  
IC=1mA, IB=0  
IE=100µA, IC=0  
400  
9
V
V
µA  
VCB=500V, IE = 0  
VCE=400V, IB = 0  
VEB=9V, IC=0  
VCE=20V, IC=20mA  
VCE=10V, IC=0.25mA  
IC=50mA, IB=10mA  
100  
200  
100  
40  
µA  
Emitter Cut off Current  
DC Current Gain  
10  
5
0.5  
1.2  
V
Collector Emitter Saturation  
Voltage  
VBE(sat)  
IC=50mA, IB=10mA  
VCE=20V,IC=20mA,f=1MHz  
IC=50mA, IB1= -1B2=5mA  
VCC=45V  
V
MHz  
µs  
Base Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
Fall Time  
fT  
tf  
ts  
8
0.3  
1.5  
Storage Time  
hFE* Classifications  
Note: Product is pre selected in  
DC current gain (Groups A to F).  
CDIL reserves the right to ship  
any of the groups according to  
production availability.  
A
B
C
D
E
F
10-15  
15-20  
20-25  
25-30  
30-35  
35-40  
MARKING  
CD  
13001  
A
CD  
13001  
B
CD  
CD  
13001  
D
CD  
13001  
E
CD  
13001  
F
13001  
C
Continental Device India Limited  
Data Sheet  
Page 1 of 3  
123

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与CD13001F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CD13002 RECTRON

获取价格

 		NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL,HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING POWER TRANSISTOR
CD13002B RECTRON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, P
CD13002C RECTRON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, P
CD13002E RECTRON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, P
CD13003 RECTRON

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 		NON SILICON POWER TRANSISTOR
CD13003 CDIL

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 		NPN SILICON POWER TRANSISTOR
CD13003A ETC

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 		BJT
CD13003A-C RECTRON

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 		暂无描述
CD13003B ETC

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 		BJT
CD13003B-B RECTRON

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 		Transistor

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