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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CD13003DFBULK
CD13003DFBULK PDF预览

CD13003DFBULK

更新时间： 2024-11-29 13:06:43
品牌 Logo 应用领域
CDIL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
Power Bipolar Transistor,

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CD13003DFBULK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.62最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：24JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
参考标准：TS 16949表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

CD13003DFBULK 数据手册

 浏览型号CD13003DFBULK的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CD13003DFBULK的Datasheet PDF文件第3页 
IS/ISO 9002  
IS / IECQC 700000  
Lic# QSC/L- 000019.2 IS / IECQC 750100  
Continental Device India Limited  
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer  
NPN SILICON POWER TRANSISTOR  
CD13003  
TO-126  
MARKING: CD  
13003  
Applications.  
Suitable for Lighting, Switching Regulator and Motor Control.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
V
V
A
A
Collector -Base Voltage  
Collector -Emitter ( sus) Voltage  
Emitter -Base Voltage  
Collector Current Continuous  
Peak (1)  
600  
400  
9.0  
1.5  
3.0  
ICM  
Base Current Continuous  
Peak (1)  
IB  
IBM  
0.75  
1.5  
A
A
Emitter Current Continuous  
Peak (1)  
IE  
IEM  
PD  
2.25  
4.5  
1.4  
11.2  
45  
320  
A
A
W
Power Dissipation @ Ta=25 deg C  
Derate Above 25 deg C  
Power Dissipation @ Tc=25 deg C  
Derate Above 25 deg C  
Operating And Storage Junction  
Temperature Range  
mW /deg C  
W
mW /deg C  
deg C  
PD  
Tj, Tstg  
-65 to +150  
THERMAL RESISTANCE  
Junction to Case  
Junction to Ambient  
Rth (j-c)  
Rth (j-a)  
3.12  
89  
deg C/W  
deg C/W  
Maximum Lead Temperature for  
Soldering Purposes: 1/8" from Case  
for 5 Seconds.  
TL  
275  
deg C  
(1) Pulse Test: Pulse Width= 5ms Duty Cycle =10%  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)  
DESCRIPTION  
SYMBOL TEST CONDITION  
VCBO IC=1mA, IE=0  
VCEO(sus)* IC=10mA, IB=0  
MIN TYP MAX  
UNIT  
V
V
mA  
mA  
mA  
Collector -Base Voltage  
Collector -Emitter ( sus) Voltage  
Collector-Cuttoff Current  
600  
400  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ICBO  
VCB=600V, IE=0  
1.0  
5.0  
1.0  
40  
25  
VCB=600V, IE=0,TC=100 deg C  
VEB=9V, IC=0  
IC=0.5A,VCE=5V  
-
-
Emitter-Cuttoff Current  
DC Current Gain  
IEBO  
hFE*  
8.0  
5.0  
IC=2A,VCE=5V  
Continental Device India Limited  
Page 1 of 3  
Data Sheet  
123

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