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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> CBRHD-10BK
CBRHD-10BK PDF预览

CBRHD-10BK

更新时间： 2024-11-11 13:01:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 147K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 1000V V(RRM), Silicon,

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CBRHD-10BK 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.19
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向电流：0.000005 µA
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CBRHD-10BK 数据手册

 浏览型号CBRHD-10BK的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CBRHD SERIES  
Central  
Semiconductor Corp.  
HIGH DENSITY SURFACE MOUNT  
½ AMP DUAL IN LINE  
FEATURES:  
BRIDGE RECTIFIER  
• Truly efficient use of board space, requires  
only 42mm² of board space vs. 120mm² of board  
space for industry standard 1.0 Amp surface  
mount bridge rectifier.  
TM  
HD  
BRIDGE  
• 50% higher density (amps/mm²) than the industry  
standard 1.0 Amp surface mount bridge rectifier.  
HDDIP CASE  
• Glass passivated chips for high reliability.  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBRHD series types are silicon full wave bridge rectifiers mounted  
in a durable epoxy surface mount molded case, utilizing glass passivated chips.  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CBRHD CBRHD CBRHD CBRHD  
SYMBOL  
-02  
200  
200  
140  
-04  
400  
400  
280  
-06  
600  
600  
420  
-10* UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
1000  
1000  
700  
V
V
V
A
A
A
RRM  
V
R
RMS Reverse Voltage  
V
R(RMS)  
Average Forward Current (T =40°C)(1) I  
0.5  
0.8  
30  
A
O
Average Forward Current (T =40°C)(2) I  
A
O
Peak Forward Surge Current  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
I
FSM  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
V
F
I =400mA (Per Diode)  
F
1.0  
5.0  
V
mA  
mA  
pF  
I
V =Rated V  
R
R
R
RRM  
I
V =Rated V  
, T =125°C  
500  
R
RRM  
A
C
V =4.0V, f=1.0MHz  
20  
J
R
(1) Mounted on a Glass-Epoxy P.C.B.  
(2) Mounted on a Ceramic P.C.B.  
*Available on special order, please consult factory.  
104  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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