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CAT28F020G-12

更新时间： 2024-10-31 21:12:03

品牌	Logo	应用领域
CATALYST		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	430K
描述
Flash, 256KX8, 120ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32

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CAT28F020G-12 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.29	最长访问时间：	120 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e3	长度：	13.97 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
编程电压：	12 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.55 mm	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

CAT28F020G-12 数据手册

CAT28F020

2 Megabit CMOS Flash Memory

Licensed Intel second source

FEATURES

I Commercial, industrial and automotive

I Fast read access time: 90/120 ns

temperature ranges

I Low power CMOS dissipation:

– Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)

– Standby: 1 mA max (TTL levels)

– Standby: 100 µA max (CMOS levels)

I Stop timer for program/erase

I On-chip address and data latches

I JEDEC standard pinouts:

– 32-pin DIP

I High speed programming:

– 10 µs per byte

– 32-pin PLCC

– 32-pin TSOP (8 x 20)

– 4 seconds typical chip program

I 100,000 program/erase cycles

I 10 year data retention

I Electronic signature

I 0.5 seconds typical chip-erase

I 12.0V 5% programming and erase voltage

DESCRIPTION

using a two write cycle scheme. Address and Data are

latched to free the I/O bus and address bus during the

write operation.

TheCAT28F020isahighspeed256Kx8-bitelectrically

erasable and reprogrammable Flash memory ideally

suited for applications requiring in-system or after-sale

code updates. Electrical erasure of the full memory

contents is achieved typically within 0.5 second.

The CAT28F020 is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology. Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 10 years. The device is available in JEDEC

approved 32-pin plastic DIP, 32-pin PLCC or 32-pin

TSOP packages.

It is pin and Read timing compatible with standard

EPROM and E²PROM devices. Programming and

Erase are performed through an operation and verify

algorithm. The instructions are input via the I/O bus,

BLOCK DIAGRAM

I/O –I/O

I/O BUFFERS

ERASE VOLTAGE

SWITCH

DATA

LATCH

SENSE

AMP

COMMAND

PROGRAM VOLTAGE

SWITCH

CE, OE LOGIC

Y-GATING

Y-DECODER

2,097,152 BIT

MEMORY

ARRAY

A –A

X-DECODER

VOLTAGE VERIFY

SWITCH

5115 FHD F02

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. 1029, Rev. C

12 3 4 5 6 7...15

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与CAT28F020G-12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT28F020G-12T	CATALYST	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F020G-12TE13	ONSEMI	获取价格	256KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28F020G-12TE7	CATALYST	获取价格	256KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28F020G-15	CATALYST	获取价格	256KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28F020G-15TE7	CATALYST	获取价格	Flash, 256KX8, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CAT28F020G-90	ONSEMI	获取价格	IC 256K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PQCC32, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, LCC-32, Program
CAT28F020G-90T	CATALYST	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F020GA-12T	ONSEMI	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F020GA-12T	CATALYST	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
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