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CAT28F020GI-12TE13

更新时间： 2024-11-05 12:36:23

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安森美 - ONSEMI		闪存存储
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16页	113K
描述
2 Megabit CMOS Flash Memory

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CAT28F020GI-12TE13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	PLASTIC, LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.3
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e3
长度：	13.97 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	12 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.55 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

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CAT28F020

Licensed Intel

2 Megabit CMOS Flash Memory

second source

FEATURES

■ Commercial, industrial and automotive

■ Fast read access time: 90/120 ns

temperature ranges

■ Low power CMOS dissipation:

– Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels)

– Standby: 1 mA max (TTL levels)

– Standby: 100 µA max (CMOS levels)

■ Stop timer for program/erase

■ On-chip address and data latches

■ JEDEC standard pinouts:

– 32-pin DIP

■ High speed programming:

– 10 µs per byte

– 32-pin PLCC

– 32-pin TSOP (8 x 20)

– 4 seconds typical chip program

■ 100,000 program/erase cycles

■ 10 year data retention

■ Electronic signature

■ 0.5 seconds typical chip-erase

■ 12.0V ± 5% programming and erase voltage

DESCRIPTION

using a two write cycle scheme. Address and Data are

latched to free the I/O bus and address bus during the

write operation.

TheCAT28F020isahighspeed256Kx8-bitelectrically

erasable and reprogrammable Flash memory ideally

suited for applications requiring in-system or after-sale

code updates. Electrical erasure of the full memory

contents is achieved typically within 0.5 second.

The CAT28F020 is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology. Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 10 years. The device is available in JEDEC

approved 32-pin plastic DIP, 32-pin PLCC or 32-pin

TSOP packages.

It is pin and Read timing compatible with standard

EPROM and E²PROM devices. Programming and

Erase are performed through an operation and verify

algorithm. The instructions are input via the I/O bus,

BLOCK DIAGRAM

I/O –I/O

I/O BUFFERS

ERASE VOLTAGE

SWITCH

DATA

LATCH

SENSE

AMP

COMMAND

PROGRAM VOLTAGE

SWITCH

CE, OE LOGIC

Y-GATING

Y-DECODER

2,097,152 BIT

MEMORY

ARRAY

A –A

X-DECODER

VOLTAGE VERIFY

SWITCH

5115 FHD F02

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1029, Rev. F

12 3 4 5 6 7...16

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CAT28F020GI-90T	CATALYST	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F020H-12	CATALYST	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32
CAT28F020H-12	ONSEMI	获取价格	256KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TSOP-32
CAT28F020H-12T	CATALYST	获取价格	2 Megabit CMOS Flash Memory
CAT28F020H-12TE13	CATALYST	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP-32
CAT28F020H-12TE7	CATALYST	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP-32
CAT28F020H-15	ONSEMI	获取价格	256KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDSO32, 8 X 14 MM, TSOP-32
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